今年3月，三星在其韩国华城园区引入了首台ASML制造的High-NA EUV光刻机，型号为“TWINSCAN EXE:5000”，成为继英特尔和台积电（TSMC）之后，第三家购入High-NA EUV光刻机的半导体制造商。三星已决定在未来的DRAM生产中采用High-NA EUV技术，竞争对手SK海力士也有同样的想法。
据The Bell报道，三星和SK海力士已经决定推迟在DRAM生产中引入High-NA EUV技术的时间。原因是工具设备的成本过高，另外DRAM架构即将发生变化，从而让存储器制造商在High-NA EUV技术上采取更为谨慎的态度。
根据三星和SK海力士的计划，DRAM架构将分阶段发展——从6F²到4F²，最终发展到3D DRAM。2030年之前量产的4F²DRAM将需要EUV技术处理，预计将采用High-NA EUV工具。不过与传统DRAM不同，3D DRAM通过垂直堆叠增加晶体管密度，并不一定需要用到EUV技术，无论是普通的EUV还是High-NA EUV工具，从而消除了对EUV技术的需求。这意味着即便投资了High-NA EUV光刻机，但实际部署到DRAM生产的窗口期可能相对较短。
三星也会将High-NA EUV技术引入到逻辑芯片的生产中，正在评估1.4nm工艺中的使用，目标2027年量产。台积电也打算推迟使用High-NA EUV光刻机，A14工艺将绕过该技术，要等到2027年之后，计划A14P工艺上引入。